FILMES DE ZNO E ZNO:AL DEPOSITADOS POR SPRAY-PIRÓLISE

Autores

  • FLÁVIA NEVES VICTOR
  • ERVAL RAMOS PAES JUNIOR

Palavras-chave:

Spray-pirólise, Óxido de Zinco, Célula Solar

Resumo

O óxido de zinco (ZnO) é um material cerâmico semicondutor do tipo N com banda proibida de 3,3eV e baixa condutividade elétrica no escuro que pode ser controlada pela dopagem. O ZnO apresenta grande aplicação em células fotovoltaicas, displays e sensores de gás. Neste trabalho foram depositados filmes de ZnO intrínsecos e dopados com Al. Estes filmes foram caracterizados estrutural e eletricamente com o objetivo de estudar a dependência destas propriedades com as condições de deposição.Os filmes de ZnO intrínsecos e dopados de Al a 1%at. (ZnO:Al) foram depositados pela técnica de spray-pirólise em substratos de vidro. Nos filmes de ZnO:Alforam utilizadas as concentrações atômicas de 0-5%. Os demais parâmetros de deposição foram: fluxo da solução precursora de 6 ml/min, temperatura do substrato de 450°C, pressão do gás de arraste de 1,5 Kgf/cm2 e o tempo de deposição de 30 minutos.A partir da medida da variação da condutividade elétrica com a temperatura dos filmes de ZnO e ZnO:Al foram calculadas energias de ativação do processo de condução de 0,37 e 0,31 eV , respectivamente. A dopagem dos filmes com Al propiciou uma elevação da condutividade elétrica. A análise por difração de raios-X revelou a obtenção de filmes policristalinos com a estrutura da hexagonal tipo wurtzita.Os filmes depositados devem ser caracterizados oticamente e ter as condições de deposição otimizadas a fim de aumentar a sua condutividade elétrica visando possibilitar sua aplicação como óxido condutor transparente.

Publicado

29-03-2012